| 起源の場所: | 中国 |
|---|---|
| ブランド名: | CRYLINK |
| 証明: | Iso9001 |
| モデル番号: | CRYLINK-MgAl2O4スピネルの水晶 |
| 最小注文数量: | 1個 |
| 価格: | negotiation |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 受渡し時間: | 3-4 週間 |
| 支払条件: | TT |
| 供給の能力: | /month 100部分の |
| 名前: | MgAl2O4水晶基質 | オリエンテーション: | [100]または[100]または[111] < ±0.5° |
|---|---|---|---|
| 小さな溝: | <0> | 厚さ/DiameterTolerance: | ±0.05 mm |
| ハイライト: | ガリウム ガドリニウムのガーネット,znoのウエファー |
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記述
バルク音波およびマイクロウェーブ装置および速いICのエピタキシアル基質のために広く利用されたマグネシウムのアルミン酸塩（MgAl2O4かスピネル）単一のcrystalsare。MgAl2O4は中間IRに目に見えるのからの優秀な伝達を要求するレンズである、および窓を含む光学の、電子および構造適用の広い範囲の使用のための魅力的な材料。
理論的な伝達は非常に均一で、0.3から5ミクロンの間で87%に近づく。伝達特徴はこと中間波IRのALONそしてサファイアの対抗し、それを現在および次世代IRイメージ投射 システムの常に増加する性能要件のために特に魅力的にさせる。
MgAl2O4がIII-Vの窒化物装置のためのよい基質であることがまた分られる。スピネル（MgAl2O4）はGaNそのようなLDsの基質のための1人の候補者である。MgAl2O4の結晶学の構造はスピネル タイプ（Fd3m）であり、格子定数はA. MgAl2O4がGaNの良質のフィルムの成長に首尾よく加えられた、比較的低価格の基質材料の8.083である。
MgAl2O4は（100つの）平面で裂かれる。GaN LDキャビティはまたZnOのためによく働く（100つの）方向に沿うMgAl2O4基質を単に裂くことによって得られた。MgAl2O4水晶は育ち非常ににくい単一フェーズの構造の維持の難しさが原因で。
特徴
適用
主要な指定
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材料 |
MgAl2O4 |
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オリエンテーション |
[100]または[100]または[111] <> |
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平行 |
10 |
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垂直 |
5 |
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表面質 |
10/5 |
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波頭のゆがみ |
/4 @632nm |
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表面の平坦 |
/8 @632nm |
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明確な開き |
>95% |
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小さな溝 |
<0> |
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厚さ/DiameterTolerance |
±0.05 mm |
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最高次元 |
dia 50×100mm |
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コーティング |
AR/AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030 |
材料特性
身体検査およびchemicalcharacteristics
|
Chemicalformula |
MgAl2O4 |
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Crystalstructure |
cubicm3m |
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Latticeparameters、 |
a= 8.083 |
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融点（℃） |
2130°C |
|
密度、g/cm3 |
3.61g/cm3 |
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TransmissionRange |
0.215.3 m |
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Refractiveindex |
1.8245@0.8 m、 |
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Mohshardness |
8 |
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25°C、W X cm-1 X °K-1のThermalconductivity |
14.0With （mK） |
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Thermalexpansion係数 |
7.45×10-6/K |
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PhaseVelocity |
6500 m/s （の100）横波 |
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Propagationloss |
6.5dB/ms |
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SpecificHeat |
0.59W.s/g/K |
